Un -transistor d'efecte de camp (FET) és un dispositiu semiconductor que utilitza l'efecte de camp elèctric del circuit d'entrada per controlar el corrent al circuit de sortida, d'aquí el seu nom.
Com que condueix l'electricitat únicament a través dels portadors majoritaris del semiconductor, també s'anomena transistor unipolar. FET són les sigles de Field Effect Transistor. Hi ha dos tipus principals: transistors d'efecte-de camp d'unió (JFET) i transistors d'efecte de camp-d'òxid-metall-semiconductor (MOSFET). Com que condueix l'electricitat únicament a través dels portadors majoritaris del semiconductor, també s'anomena transistor unipolar. És un dispositiu semiconductor controlat per tensió-. Té avantatges com ara una alta resistència d'entrada (10⁷–10¹⁵ Ω), baix soroll, baix consum d'energia, ampli rang dinàmic, facilitat d'integració, sense fenòmens d'avaria secundari i una àmplia àrea d'operació segura. S'ha convertit en un fort competidor dels transistors bipolars i transistors de potència.
Un -transistor d'efecte de camp (FET) és un dispositiu semiconductor que utilitza l'efecte de camp elèctric del circuit d'entrada per controlar el corrent al circuit de sortida, d'aquí el seu nom.
Com que condueix l'electricitat únicament a través dels portadors majoritaris del semiconductor, també s'anomena transistor unipolar.
FET significa Field Effect Transistor, abreujat com a FET.
